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150V N沟道资讯

东芝推出采用最新一代工艺的100V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通...

东芝 N沟道 2025-09-25

东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET

中国上海，2023年6月13日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V...

东芝推超级结结构 2023-06-13

东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。...

东芝 N沟道 2023-03-30

东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出了150V N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管...

东芝 150V N沟道 2022-04-05

ROHM确立栅极耐压8V的150V GaN HEMT量产体制

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量产体制，该系列产品的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2高达8V，非常适用于基站...

ROHM 150V 2022-03-24

Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Silicon...

MOSFET N沟道 2019-12-11

150V N沟道专栏

宽输入电压范围：5V~150V 工作频率160KHz开关降压型 LED 恒流驱动器

这是一款高效率、高精度的降压型大功率 LED 恒流驱动控制芯片。采用固定频率的平均电流控制方式，具有优异的负载调整率和线性调整率。通过调节外置的电流采样电阻，能控制高亮度 LED 灯的驱动电流，使LED 灯亮度达到预期恒...

宽输入电压范围：5V~150V 2026-04-04

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150V N沟道资料

150V N沟道论坛

03-18 N沟道vsP沟道MOS管，怎么选才不踩坑？一文搞懂选型关键

深圳弗瑞鑫电子|浏览：1376|回复：1| xqh518 2026-03-30 16:28:52

09-28 N沟道增强型半导体场效应三极管工作原理

huan2220|浏览：651|回复：0| huan2220 2024-09-28 11:53:59

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PFM升压型双节锂电池充电控制集成电路 CN3302

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west.yml我删减后的

时间：: +立即下载2026-05-21

ZCC5030：100V 推挽式电流模式 PWM 控制器 —— 国产芯力量，完美替代 LM5030

时间：: +立即下载2026-05-20

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采用两只N沟道和两只P沟道场效应管的全桥驱动电

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【SUD15N15-95-E3&150V-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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第1章半导体器件基础 06

第1章半导体器件基础 05

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